光刻機(jī)
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半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)快報(bào)：65NM ARF光刻機(jī)官宣 國產(chǎn)光刻機(jī)行則將至
65nm ArF 光刻機(jī)官宣，參數(shù)對標(biāo)ASML1460K 及Nikon S322F。為促進(jìn)首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備創(chuàng)新發(fā)展和推廣應(yīng)用，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)、財(cái)政、金融、科技等國家支持政策的協(xié)同，工業(yè)和信息化部印發(fā)《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024 年版）》。
光刻機(jī)行業(yè)：國之重器 路雖遠(yuǎn)行則將至
光刻機(jī)被譽(yù)為半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠，光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中最復(fù)雜、關(guān)鍵一環(huán)。光刻機(jī)是芯片制造流程中的核心設(shè)備，其光刻的工藝水平直接決定芯片的制程、性能，被譽(yù)為半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠。光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中最復(fù)雜、關(guān)鍵步驟，耗時(shí)長、成本高。光刻機(jī)原理類似相機(jī)照相，發(fā)出光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后發(fā)生性質(zhì)變化，使圖形復(fù)印到薄片上，使薄片具電子線路圖作用。其中分辨率直接決定制程，是最重要的指標(biāo)；套刻精度影響良率；生產(chǎn)效率影響產(chǎn)能及經(jīng)濟(jì)性。
光刻機(jī)行業(yè)深度報(bào)告：博采眾星之光 點(diǎn)亮皇冠明珠
集成電路的工序之復(fù)雜與精細(xì)堪稱人類工業(yè)文明的皇冠，而光刻機(jī)則是這個(gè)皇冠上的明珠。
光刻機(jī)行業(yè)深度研究報(bào)告：核心“卡脖子”設(shè)備 國產(chǎn)替代蓄勢待發(fā)
光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造過程中價(jià)值量和技術(shù)壁壘最高的設(shè)備之一。全球光刻機(jī)市場規(guī)模超230 億美元，ASML 處于絕對領(lǐng)先，國內(nèi)市場規(guī)模超200 億元，但是國產(chǎn)化率僅2.5%。目前半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點(diǎn)縮小至5nm 及以下，曝光波長逐漸縮短至13.5nm，光刻技術(shù)逐步完善成熟，但是國內(nèi)光刻機(jī)仍明顯落后ASML。